新闻资讯
新闻资讯
参考设计
视频专区
产品手册
|
  
InnoSwitch-CE集成650 V MOSFET的恒压/恒流离线反激式开关ICInnoSwitch™-CE系列IC可极大简化低压大电流电源的开发和制造,尤其是那些采用紧凑外壳或需要满足高效率要求的电源。InnoSwitch-CP的架构极具革新性,因为该器件同时将初级和次级控制器以及检测元件和符合安全标准的反馈机制集成到了单个IC中。由于元件间距更为紧凑并且创新地采用了集成通讯链路,因此能够对次级侧同步整流MOSFET进行精确控制并对初级侧MOSFET开关进行优化。这样可增强系统可靠性,提高在从满载到低功率待机的所有功率范围内的效率水平。下载 PDF 文档
集成650 V MOSFET的恒压/恒流离线反激式开关IC集成650 V MOSFET的恒压/恒流离线反激式开关ICInnoSwitch™-CE系列IC可极大简化低压大电流电源的开发和制造,尤其是那些采用紧凑外壳或需要满足高效率要求的电源。InnoSwitch-CP的架构极具革新性,因为该器件同时将初级和次级控制器以及检测元件和符合安全标准的反馈机制集成到了单个IC中。由于元件间距更为紧凑并且创新地采用了集成通讯链路,因此能够对次级侧同步整流MOSFET进行精确控制并对初级侧MOSFET开关进行优化。这样可增强系统可靠性,提高在从满载到低功率待机的所有功率范围内的效率水平。下载 PDF 文档
InnoSwitch-EP集成了MOSFET、同步整流和反馈功能的离线式 恒压/恒流(CV/CC)反激式开关ICInnoSwitch™-EP系列IC可极大简化低压高电流电源的开发和制造,尤其是那些采用紧凑外壳或需要满足高效率要求的电源。InnoSwitch-EP的架构极具革新性,因为该器件同时将初级和次级控制器以及检测元件和安全相关反馈机制集成到了单个IC中。 由于元件间距更为紧凑并且创新地采用了集成通讯链路,因此能够对次级侧同步整流MOSFET进行精确控制以及对初级侧开关进行优化,从而在整个负载范围内维持高效率。此外,链路的最低DC偏置要求使得系统能够实现低于10 mW的空载功耗,从而获得最大待机效率。下载 PDF 文档
InnoSwitch-CPOff-Line CV/CC Flyback Switcher IC with Integrated 650 V MOSFETInnoSwitch™-CP系列IC可极大简化低压大电流电源的开发和制造,尤其是那些采用紧凑外壳或需要满足高效率要求的电源。InnoSwitch-CP的架构极具革新性,因为该器件同时将初级和次级控制器以及检测元件和符合安全标准的反馈机制集成到了单个IC中。 由于元件间距更为紧凑并且创新地采用了集成通讯链路,因此能够对次级侧同步整流MOSFET进行精确控制以及对初级侧开关进行优化,从而在整个负载范围内维持高效率。此外,链路的最低DC偏置要求使得系统能够实现低于10 mW的空载功耗。下载 PDF 文档
InnoSwitch-CH集成了MOSFET、同步整流和反馈功能的离线式反激CV/CC开关ICInnoSwitch-CH系列IC将初级、次级和反馈电路同时集成到一个表面贴装离线式反激开关IC中。InnoSwitch-CH IC集成了初级FET、初级侧控制器和次级侧同步整流控制器。这款新IC还采用了一项创新型技术FluxLink,该技术可安全地越过隔离层并省去光耦器。次级侧控制器的集成可实现无击穿的同步整流FET驱动,同时提供快速瞬态响应,从而超越包括欧盟行为准则第5版和DoE第6版法规在内的所有国际能效标准。下载 PDF 文档
诚博娱乐