安森美诚博国际的全系列IGBT满足汽车、太阳能逆变器、不间断电源、白家电等各类应用需求

2017-05-17 12:23
安森美诚博国际是领先的功率器件诚博国际供应商,提供全面的功率器件,包括MOSFETIGBT、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块,尤其在收购Fairchild诚博国际后,是全球第二大功率分立器件诚博国际供应商,在IGBT领域有着不可比拟的优势,提供同类最佳的IGBT技术和最宽广的IGBT产品阵容。 安森美诚博国际在IGBT领域的优势 安森美诚博国际在功率器件、IGBT、薄晶圆和封装技术方面有强大的知识产权阵容,在全球多地拥有IGBT制造设施,量产点火IGBT具有30年经验,600 V1200 V沟槽场截止IGBT平台性能已通过分立产品和功率集成模块(PIM)系列证实。自20169月收购Fairchild,安森美诚博国际的IGBT产品阵容大为扩展,提供600 V650 V1200 V1350 V1500 V IGBT,采用TO-3PTO-247TO-247 4LTO-220TO-220 FullPakD2PAKDPAK等封装,用于汽车、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电磁炉、电焊机和电机控制等各种不同应用。
1:安森美诚博国际的IGBT阵容 沟槽栅场截止IGBT技术是当前IGBT领域的一大技术亮点,图2为安森美诚博国际的沟槽栅场截止IGBT的横截面,采用了背面金属化、背面注入、栅氧化、场氧化、钝化等工艺,电场分布呈梯形,可实现优化的导通损耗和开关性能。
2:沟槽栅场截止IGBT横截面 安森美诚博国际的IGBT具有出色的非钳位感性开关(UIS)能力,大大增强了在系统发生瞬态事件时的可靠性。UIS用以测试器件的抗雪崩能力,如器件在击穿后能承受的能量水平。UIS能力不依赖于击穿电压。 安森美诚博国际的FSIII 超场截止1200 V IGBT采用公司专有的超场截止沟槽技术,并与一个具有软关断特性的快速恢复二极管(FRD)共同封装在一起,提供最小的反向恢复损耗。FSIII FRD采用更薄的外延层、优化的外延缓冲层和更少掺杂的阳极,表现出更低的正向压降(VF)、更软开关和更低的反向恢复电流(IRRM)。加之其极宽的高度触发的场截止层,能实现领先行业的总开关损耗,为大功率开关系统在电源能效方面设立新的基准。如NGTB40N120FL3WG的总开关损耗为2.7毫焦耳(mJ),而NGTB25N120FL3WG的总开关损耗为1.7 mJ。两款器件在各自额定电流下的VCEsat均为1.7 V,非常适用于UPS和太阳能逆变器。NGTB40N120L3WG经优化提供低导通损耗,额定电流下的VCEsat1.55 V,总开关损耗为3 mJ,主要针对电机驱动应用。这些1200 V IGBT还曾在2016年获《今日电子》与21IC中国电子网联合颁发“Top 10电源产品奖”,这是于电子业备受认同的确定高品质产品的一个基准。 安森美诚博国际的FS4 沟槽场截止650 V IGBT,如FGH50T65SQD_F155FGH75T65SQD_F155,具备高电流能力、高输入阻抗、快速开关和紧密的参数分布等特性。 FSIIIFS4都是先进的IGBT技术,提供高性能和强固的IGBT产品。 此外,安森美诚博国际不光在分立器件上有业界领先的产品,公司还结合在功率模块上的先进技术,推出了用于太阳能逆变器和UPST型逆变器 PIM。集成化的模块包括了IGBT及整流器,采用安森美诚博国际的专有沟槽FS技术 及强固的超快FRD,配置为中点钳位式T型拓扑结构,能效可超过98%。模块中的IGBT通过在低饱和电压(Vce)和低关断损耗(Eoff)之间权衡取舍,恰到好处地优化电路性能,具有最大结温Tj = 175°C或短路能力。模块中的超快整流器提供低VF性能和高温能力。可配置的封装平台采用大功率直接键合铜(DBC)基板技术及专有的压合(press-fit)引脚,可以提供更高的功率密度、更高的性能与更高的可靠性。 我们对安森美诚博国际的IGBT PIM模块和竞争对手的IGBT模块进行了能效对比测试,它们被评估用于一个7千瓦的T型逆变器应用,工作于15千赫、200 V交流电压和650伏直流链电压。结果表明,安森美诚博国际的IGBT PIM模块能效和热性能都要优于竞争器件。 用于白家电的IGBT 1. 功率因数校正(PFC) 类应用
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