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雷击浪涌!!!

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guo85191243
  1. guo85191243
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  1. 2016-10-30 20:55:30
10问答币
这几天被这个问题搞得晕坨坨..前几天有款30W 的产品,调试效果还不错,客户要求1KV雷击浪涌,当时调到1.5KV都可以,还打了6个,全都pass。
结果量产抽打,一打就炸,炸得心都慌,找原因找了一个下午,结果是MOS批次的问题。换了另外的牌子,就没问题了。
客户那边反映的问题一直都是雷击浪涌比较多,而且雷击浪涌没用一个公式或者一个比较具体的对策去针对整改,一部分原因是本人实力不够,另一部分到目前为止还没找到一个针对单级PFC雷击浪涌的良好对策。
单级PFC雷击浪涌不通过最常见得表现:
MOS,保险电阻,调电流电阻,MOS驱动电阻,IC 炸炸炸(这个问题非常常见,而且基本就是这个问题一直困扰着我。)
原因:1.压敏反映不过来,高压直接加到MOS上?
          2.压敏流通量不够导致后级残压太大?
          3.MOS问题?
          4.压敏选择不恰当?(曾经有个产品我试过用10D471不行,反而用10D511可以,这是什么鬼...)
          5.信号地走线问题?
          6.方案问题?
我贴张今天的产品出来请大家分析分析  12W  (之前调试都没问题,送样7~8个,都打过雷击浪涌),现在问题是生产产品有一半打不过,要求是1.5KV

保险电阻 1W 5.1R  
双压敏 7D511
2N65MOS
换过保险,MOS没用,
将压敏改为7D471 6个坏一个。
所以是不是压敏残压太高了?解决办法是?

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guo85191243
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  1. 2016-10-30 20:59:41
 
信号地都是先走VCC电容 再从电容出去,而且高压线没走到IC附近,整流后高压线于地线最少1.3MM
caijiantai
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  1. 2016-10-31 18:31:47
 
IC炸有可能是从MOS的G级灌进去的
看楼主板子空间好小,没地方只能整点好的MOS强抗吧
guo85191243
  1. guo85191243
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  1. 2016-10-31 21:18:33
 
如果是从G极灌进去,那是从哪里呢?是MOS管内部?还是有跳弧?因为驱动电阻确实有坏的,IC也打坏了。还有今天试了好几个牌子的MOS还是差不多,坏的几率大概50%
caijiantai
  1. caijiantai
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高级工程师
  1. 2016-11-1 09:34:15
 
DG和DS会一起击穿的
guo85191243
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  1. 2016-11-2 18:22:57
 
试了几天,用7D471效果还可以(471最好还是不要用),但是还是找不出原因。
leilei812523932
  1. leilei812523932
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  1. 2016-11-2 18:13:07
 
IC坏是不是VCC脚坏,加个稳压管试试,MOS没坏吗
guo85191243
  1. guo85191243
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  1. 2016-11-2 18:20:51
 
ic 的VCC脚没击穿
赵日天
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副总工程师
  1. 2016-10-31 08:28:06
 
楼主你这个好像没有任何EMC元件啊,不要过EMC的?
langtuodianzi
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  1. 2016-10-31 16:47:53
 
考虑到国内电网不稳定,压敏电阻的选型要有安全裕度,一般会选取10D511K、10D561K。
采用片径Φ14的14D511K,14D561K更能强化电源的抗浪涌的能力。
guo85191243
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  1. 2016-10-31 21:15:02
 
是的,不要求过emc
ECHO123
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  1. 2016-11-14 18:37:41
  2. 倒数8
 
两压敏放桥前试试
heartofocean
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  1. 2016-11-3 22:05:15
 
我觉得信号线和功率线应该分开走会比较好。整流后先接CBB电容再经过压敏电阻,再从压敏电阻的GND分别连线到R1,R2的GND和信号的线的C2的GND.
liuyumei
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  1. 2016-11-11 10:01:22
  2. 倒数10
 
您好,需要EMC认证的抗干扰之产品,可以联系下,谢谢。

刘玉梅 业务员
公司名称:宝仁弘电子有限公司
地址:深圳市龙岗区葵涌第三工业区
电话:0755-29687188-8021
手机:18926562453  QQ2881822399   微信:mei441688
专业生产产品:EMC贴片磁珠、EMC铁氧体磁芯、电感,已认证。

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  1. 2016-11-14 10:00:57
  2. 倒数9
 
两个压敏还过不了就吃力,要么试试整流后压敏去掉,换个π型滤波,估计有效果,对EMI也好点
guo85191243
  1. guo85191243
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  1. 2016-11-15 16:54:05
  2. 倒数7
 
成本压力
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副总工程师
  1. 2016-12-8 09:06:06
  2. 倒数6
 
你两个压敏都放到桥前面,加个色环电感,组成∏型电路问题会解决。还有你输入和桥后距离是不是近了也有关系。
huangguobin
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  1. 2016-12-22 16:02:38
  2. 倒数5
 
桥前的压敏走线需要改良,图中走线电压会不经过压敏进入桥,把桥后的压敏放在MOS的D极
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  1. 2016-12-22 20:22:32
  2. 倒数4
 
再怎么都要有点电抗才行。
电光子
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  1. 2017-1-3 13:15:06
  2. 倒数3
 
测MOS的Vds残压,如果超出最大耐压,但在最大耐压1.2倍内,建议换个更高耐压的MOS
farmer
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  1. 2017-1-9 18:37:36
  2. 倒数2
 
压敏电阻的反应时间还是有点慢,残压高时MOSFET 的VDS会超出(如使用RCD结构可以快速钳制)。另外控制IC的回路不能被雷击回路干扰,导致驱动信号变异而使MOSFET当关断时而没来得及关断而失效。
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  1. 2017-6-16 10:32:49
  2. 倒数1
 
有么有兴趣测试一下我公司的保险丝电阻,朋友
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